Правительство РФ, при поддержке Администрации Президента РФ, запустило национальную программу «кадровый потенциал», для пополнения кадровым составом Президентские, Федеральные, Региональные, Окружные и Муниципальные администрации управленческих кадров, на замещение должностей гражданской государственной службы в категориях: «Руководители», «Помощники», «Советники», и «Специалисты».
Претенденты должны иметь высшее образование, возраст без ограничений, обязательно гражданство РФ. Претенденты лучшего уровня личной профессионально управленческой готовности, включаются в потенциал управленческих кадров, с определением степени соответствия конкретному уровню специализации. Они пройдут обучение по спец программе, примут участие в совещаниях, с возможностью получения руководящих должностей в кадровых администрациях по месту их обращения.
С 1 сентября 2022 г., претенденты для участия в национальной программе «кадровый потенциал» регистрируются в деловой сети Моя Визитка РФ, заполняют в специализированных разделах; электронное интервью, резюме, биографию, портфолио, историю успеха; презентуют свою деятельность; публикуют свои профессиональные статьи, представляют свои прогресс проекты, своё видение в экономике и в новаторстве своей специальности. А так же, необходимо указать свои заслуги и достижения: Дипломы, Сертификаты, Награды. Кандидатам необходимо заполнить свою электронную визитку, где они смогут всесторонне рассказать о себе, активно принимать участие в группах, предоставить свою расширенную профессиональную информацию, сформировав свою личную, конкурентно способную репутацию, чётко отображая свои знания, опыт и профессионализм, опубликовав всё это в нашей деловой сети находящаяся на домене: моя-визитка.рф.
С 1 октября 2022 по 1 апреля 2023, претенденты должны отправить свою заполненную электронную визитку в интересующие их кадровые отделы администраций: Президента РФ, Правительства РФ, Министерств и ведомств, Муниципальные образования субъектов РФ, своего города, района, края, области, республики.
Желаем всем удачи и мощных стремлений!
Жорес Алферов презентация
Вы просматриваете редакцию с названием "Жорес Алферов презентация", сохраненную Май 15, 2019 в 00:01 в Администрация деловой сети | |
---|---|
Заголовок | Жорес Алферов презентация |
Содержимое | Страница памяти Жоресу АлфёровуСветлая память Жоресу Ивановичу за заслуги перед отечеством.Жоре́с Ива́нович Алфёров (белор. Жарэс Iванавiч Алфёраў; род. 15 марта 1930, Витебск, Белорусская ССР, СССР) — советский и российский физик, единственный ныне здравствующий — из проживающих в России — российский лауреат Нобелевской премии по физике. Жорес Иванович Алфёров родился в белорусско-еврейской семье Ивана Карповича Алфёрова и Анны Владимировны Розенблюм в белорусском городе Витебске. Имя получил в честь Жана Жореса, международного борца против войны, основателя газеты «Юманите». После 1935 года семейство переехало на Урал, где отец работал директором целлюлозно-бумажного завода. Там Жорес учился с пятого по восьмой класс. 9 мая 1945 года Иван Карпович Алфёров получил направление в Минск, где Жорес окончил среднюю школу с золотой медалью. По совету учителя физики поехал поступать в Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина), куда был принят без экзаменов. Он учился на факультете электронной техники.
Со студенческих лет Алфёров участвовал в научных исследованиях. На третьем курсе он пошел трудиться в вакуумную лабораторию профессора Б.П. Козырева. Там он начал экспериментальную работу под руководством Н.Н. Созиной. Так, в 1950 году полупроводники стали главным делом его жизни. В 1953 году, после окончания ЛЭТИ, Алфёров был принят на работу в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. В первой половине 50-х годов перед институтом была поставлена проблема создать отечественные полупроводниковые приборы для внедрения в отечественную индустрию. Перед лабораторией, в которой Алфёров работал младшим научным сотрудником, стояла задача: приобретение монокристаллов чистого германия и создание на его основе плоскостных диодов и триодов. Алфёров участвовал в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов. За комплекс проведенных работ в 1959 году он получил первую правительственную награду, в 1961 году им была защищена кандидатская диссертация. Будучи кандидатом физико-математических наук, Алфёров мог перейти к разработке собственной темы. В те годы была высказана мысль использования в полупроводниковой технике гетеропереходов. Создание совершенных структур на их основе могло привести к качественному скачку в физике и технике. Однако попытки реализовать приборы на гетеропереходах не давали практических результатов. Причина неудач крылась в трудности создания близкого к идеальному перехода, выявлении и получении необходимых гетеропар. Во многих журнальных публикациях и на различных научных конференциях неоднократно говорилось о бесперспективности проведения работ в этом направлении. Алфёров продолжал технологические исследования. В основу их им были положены эпитаксиальные методы, позволяющие влиять на фундаментальные параметры полупроводника: ширина запрещенной зоны, размерность электронного сродства, эффективная масса носителей тока, показатель преломления внутри единого монокристалла. Ж.И. Алфёров с сотрудниками создали не только гетероструктуры, близкие по своим свойствам к идеальной модели, но полупроводниковый гетеролазер, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Открытие Ж.И. Алфёровым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений – «суперинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах – позволило еще и кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и сформировать принципиально новые, в особенности перспективные для применения в оптической и квантовой электронике. Новый период исследований гетеропереходов в полупроводниках Жорес Иванович обобщил в докторской диссертации, которую защитил в 1970 году. Работы Ж.И. Алфёрова были по заслугам оценены международной и отечественной наукой. В 1971 году Франклиновский институт (США) присуждает ему престижную медаль Баллантайна, называемую «малой Нобелевской премией» и учрежденную для награждения за лучшие работы в области физики. В 1972 году следует самая высокая награда СССР – Ленинская премия.
С использованием технологии Алфёрова в России (впервые в мире) было организовано изготовление гетероструктурных солнечных элементов для космических батарей. Одна из них, установленная в 1986 году на космической станции «Мир», проработала на орбите весь срок эксплуатации без существенного снижения мощности. 10 октября 2000 года по всем программам российского телевидения сообщили о присуждении Ж.И. Алфёрову Нобелевской премии по физике за 2000 год за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники. Современные информационные системы должны отвечать двум основополагающим требованиям: быть скоростными, чтобы громадный объем информации можно было передать за короткий промежуток времени, и компактными, чтобы уместиться в офисе, дома, в портфеле или кармане. Своими открытиями Нобелевские лауреаты по физике за 2000 год создали основу таковой современной техники. Они открыли и развили быстрые опто– и микроэлектронные компоненты, которые создаются на базе многослойных полупроводниковых гетероструктур. На основе гетероструктур созданы мощные высокоэффективные светоизлучающие диоды, используемые в дисплеях, лампах тормозного освещения в автомобилях и светофорах. В гетероструктурных солнечных батареях, которые обширно используются в космической и наземной энергетике, достигнуты рекордные эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую. С 2010 года – сопредседатель Консультативного научного Совета фонда «Сколково». Инновационный центр «Сколково» (российская «Кремниевая долина») – строящийся современный научно-технологический комплекс по разработке и коммерциализации новых технологий. В составе фонда «Сколково» существует пять кластеров, соответствующих пяти направлениям развития инновационных технологий: кластер биомедицинских технологий, кластер энергоэффективных технологий, кластер информационных и компьютерных технологий, кластер космических технологий и кластер ядерных технологий. Награды России и СССР
Полный кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством»:
Орден «За заслуги перед Отечеством» I степени (14 марта 2005) — за выдающиеся заслуги в развитии отечественной науки и активное участие в законотворческой деятельности
Орден «За заслуги перед Отечеством» II степени (2000)
Орден «За заслуги перед Отечеством» III степени (4 июня 1999) — за большой вклад в развитие отечественной науки, подготовку высококвалифицированных кадров и в связи с 275-летием Российской академии наук
Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени (15 марта 2010) — за заслуги перед государством, большой вклад в развитие отечественной науки и многолетнюю плодотворную деятельность
Орден Александра Невского (2015)
Орден Ленина (1986)
Орден Октябрьской Революции (1980)
Орден Трудового Красного Знамени (1975)
Орден «Знак Почёта» (1959)
Медали
Государственная премия Российской Федерации 2001 года в области науки и техники (5 августа 2002) за цикл работ «Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе»
Ленинская премия (1972) — за фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках и создание новых приборов на их основе
Государственная премия СССР (1984) — за разработку изопериодических гетероструктур на основе четверных твёрдых растворов полупроводниковых соединений A3B5 Иностранные награды
Орден Франциска Скорины (Республика Беларусь, 17 мая 2001) — за большой личный вклад в развитие физической науки, организацию белорусско-российского научно-технического сотрудничества, укрепление дружбы народов Белоруссии и РоссииОрден князя Ярослава Мудрого V степени (Украина, 15 мая 2003) — за весомый личный вклад в развитие сотрудничества между Украиной и Российской Федерацией в социально-экономической и гуманитарной сферах
Орден Дружбы народов (Белоруссия) |
Отрывок |